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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | HyperRAM™ KS |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | PSRAM |
| 技术: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| 内存大小: | 64Mb (8M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 40 ns |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 24-VBGA |
| 供应商设备包: | 24-FBGA (6x8) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S29CD016J0MQFM010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP |
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S25FL064P0XMFA003Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
BR24L08NUX-WTRROHM Semiconductor |
IC EEPROM 8KBIT I2C VSON008X2030 |
|
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TRMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I |
|
BR24G16FVJ-3AGTE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16K I2C 1MHZ 8TSSOP |
|
CY7C144-55AXCRochester Electronics |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP |
|
AS6C2008-55BINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA |
|
CY7C107B-20VCRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 1MX1, 20NS |
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5962-8606302XARochester Electronics |
UVPROM, 32KX8, 250NS, CMOS |
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FEMC064GTTE7-T14-46Flexxon |
IC FLASH 512GBIT EMMC 153FBGA |
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CY7C1460AV33-200AXCRochester Electronics |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CY62128BNLL-70SIRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC |
|
CY7C1440SV33-167AXCRochester Electronics |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP |
