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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR |
| 内存大小: | 256Mb (16M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 200 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 700 ps |
| 电压 - 电源: | 2.3V ~ 2.7V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 60-TFBGA |
| 供应商设备包: | 60-TFBGA (8x13) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S25FL256SAGMFI010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
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AT24C256C-SSHL-BRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
71V124SA20TYIRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
STK17T88-RF25IRochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP |
|
71V3578YS133PFRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
S25FL128SAGBHM203Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
BRCB032GWZ-3E2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 32KBIT I2C UCSP30L1 |
|
SST25VF020B-80-4C-QAE-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8WSON |
|
TC58BYG0S3HBAI4Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
IC FLASH 1GBIT 63TFBGA |
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GS81302T36GE-350IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
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CY7C1415TV18-250BZCRochester Electronics |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
CY7C1470BV25-200BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
70V631S12BFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA |
