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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 256Kb (64K x 4) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 35ns |
| 访问时间: | 35 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 24-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
| 供应商设备包: | 24-SOJ |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S29GL256P90TFIR13Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP |
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S29GL512S10DHSS43Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
5962-9323502MXARochester Electronics |
EEPROM, 256KX8, 150NS, PARALLEL |
|
S-24C02DI-T8T1U5ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
|
70V3379S5BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA |
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11LC160-E/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE 8MSOP |
|
S25FL216K0PMFI010Flip Electronics |
IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL I/O 8SO |
|
71V65603S150BQGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
|
GS81282Z18GD-250IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
|
BR24A16FJ-WME2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOPJ |
|
AT25TE002-SSHN-TAdesto Technologies |
IC 2MBIT 8SOIC |
|
93AA86CT-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8TSSOP |
|
CY7C1018CV33-12VXIRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
