English
简体中文
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Not For New Designs |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR2 |
| 内存大小: | 512Mb (32M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 400 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 400 ps |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 84-TFBGA |
| 供应商设备包: | 84-TWBGA (8x12.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
27C128-15Rochester Electronics |
128K (16K X 8) EPROM |
|
IS62WV20488BLL-25TLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 16MBIT PAR 44TSOP II |
|
71V65903S85BGGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
S29JL064J60TFA000Rochester Electronics |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
S25FL256SDSMFB001Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
MM54C200D/883Rochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256X1 |
|
IS49RL18320-125EBLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
|
71V3577S85BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
CY62167GE30-45BVXICypress Semiconductor |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
|
CY14B104L-BA25XCRochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
W25Q80EWSSIG TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
CY7C1360C-200AXCRochester Electronics |
QDR SRAM, 256KX36, 3NS PQFP100 |
|
041841QLAD-7Rochester Electronics |
256KX18 SRAM |
