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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 4Kb (512 x 8) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 20 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.8V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
70V7319S133BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
8403607JARochester Electronics |
2K X 8 CMOS RAM |
|
24LCS52-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
|
M95040-DFDW6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
|
71V65703S80BGRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
24AA512-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP |
|
AT25XV021A-XMHV-TAdesto Technologies |
IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8TSSOP |
|
GS8342D36BGD-300IGSI Technology |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
|
7142SA55CBRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 |
|
AS4C256M16D3C-10BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
IS26KS128S-DPBLI00ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 128MBIT PAR 24VFBGA |
|
AS6C2016-55ZINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
AS4C512M16D3L-12BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
