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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EPROM |
| 技术: | EPROM - UV |
| 内存大小: | 64Kb (8K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 55 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MT55L256L18P1F-10Rochester Electronics |
ZBT SRAM, 256KX18, 5NS PBGA165 |
|
IS42VM32160D-6BLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA |
|
47L16-E/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
|
AS7C31026B-20JCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
RM25C128DS-LSNI-TAdesto Technologies |
IC CBRAM 128KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
|
W25Q40CLSNIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
AS7C4096A-20JINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
|
70V657S12BCI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
|
CY7C1355S-133AXCRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CY15B128Q-SXECypress Semiconductor |
IC FRAM 128KBIT SPI 40MHZ 8SOIC |
|
M24C04-RMN6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SO |
|
CY62128DV30LL-70ZXIRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
|
MR4A16BCYS35Everspin Technologies, Inc. |
IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 |
