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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 4.75V ~ 5.25V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 34-PowerCap™ Module |
| 供应商设备包: | 34-PowerCap Module |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IDT71V3556S166BQG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
MX25L51245GMR-08GMacronix |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP |
|
AT25128A-10PI-2.7Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 128KBIT SPI 20MHZ 8DIP |
|
IS25LQ010B-JBLE-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
W632GU6NB15JWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA |
|
AT45DB321D-SU-SL954Adesto Technologies |
IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC |
|
CY7C199C-20VXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
AS4C16M16D1-5TCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
|
W25Q128FVEIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
M24512-RMC6TGSTMicroelectronics |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8UFDFPN |
|
MT48H4M16LFB4-8 TRMicron Technology |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA |
|
IDT71124S15Y8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
7140SA100JRenesas Electronics America |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
