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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | NoBL™ |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 72Mb (1M x 72) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 200 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 3 ns |
| 电压 - 电源: | 2.375V ~ 2.625V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 209-BGA |
| 供应商设备包: | 209-FBGA (14x22) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IDT71V25761YSA200BQRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
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AT49LV002T-90PCRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP |
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W25Q128BVEJGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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W25Q128FVTIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
N25Q128A13ESFC0GMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOP2 |
|
IDT71V547S100PFI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
IDT71V67602S133BGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
24FC512T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
IDT71V2548S100PF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
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IS29GL256S-10TFV020Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
IDT709389L7PFRenesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP |
|
MT29F64G08CBAABWP-12Z:AMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I |
|
MT44K16M36RB-093E IT:A TRMicron Technology |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA |
