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IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA

IDT70P3337S233RMI

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

IDT70P3337S233RMI

制造商
Renesas Electronics America
描述
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
目录
记忆
可用性
788778 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 25 - Nov 29 2024
PDF格式
IDT70P3337S233RMI PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Obsolete
内存类型:Volatile
内存格式:SRAM
技术:SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
内存大小:9Mb (512K x 18)
内存接口:Parallel
时钟频率:233 MHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:7.2 ns
电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V
工作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型:Surface Mount
包/箱:576-BBGA, FCBGA
供应商设备包:576-FCBGA (25x25)
IDT70P3337S233RMI 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 IDT70P3337S233RMI 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为IDT70P3337S233RMI 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

港博实业有限公司 [香港]

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