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IDT70P3337S233RM

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零件编号 :: IDT70P3337S233RM

制造商: Renesas Electronics America

描述: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA

可用性: 174917 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: IDT70P3337S233RM PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tray
零件状态:	Obsolete
内存类型:	Volatile
内存格式:	SRAM
技术:	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
内存大小:	9Mb (512K x 18)
内存接口:	Parallel
时钟频率:	233 MHz
写周期时间 - 字，页:	-
访问时间:	7.2 ns
电压 - 电源:	1.7V ~ 1.9V
工作温度:	0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	576-BBGA, FCBGA
供应商设备包:	576-FCBGA (25x25)

IDT70P3337S233RM 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 IDT70P3337S233RM 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为IDT70P3337S233RM 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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