类型 | 描述 |
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系列: | e•MMC™ |
包裹: | Bulk |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NAND |
内存大小: | 64Gb (8G x 8) |
内存接口: | MMC |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | - |
电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 100-LBGA |
供应商设备包: | 100-LBGA (14x18) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
S29GL01GT11DHB023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
|
CY7C1021B-12VIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 64KX16 |
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S29PL127J65BFW040Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56FBGA |
|
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TRMicron Technology |
IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA |
|
5962-8700215ZARenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 |
|
S-34C04AB-A8T3U5ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DFN |
|
MT53E4DADT-DC TRMicron Technology |
LPDDR4 0 VFBGA QDP |
|
EDB8164B4PR-1D-F-R TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA |
|
CHD1616LVB-70Rochester Electronics |
16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM |
|
EM63B165TS-5ISGEtron Technology |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
|
MT53E768M32D4DT-053 AUT:EMicron Technology |
LPDDR4 24G 1.5GX16 FBGA QDP |
|
S25FS512SAGNFA010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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MX29GL128EUXFI-11GMacronix |
IC FLSH 128MBIT PARALLEL 64LFBGA |