类型 | 描述 |
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系列: | PL-J |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NOR |
内存大小: | 128Mb (8M x 16) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 65ns |
访问时间: | 65 ns |
电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | -25°C ~ 85°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 56-VFBGA |
供应商设备包: | 56-FBGA (9x7) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TRMicron Technology |
IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA |
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5962-8700215ZARenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 |
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S-34C04AB-A8T3U5ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DFN |
|
MT53E4DADT-DC TRMicron Technology |
LPDDR4 0 VFBGA QDP |
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EDB8164B4PR-1D-F-R TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA |
|
CHD1616LVB-70Rochester Electronics |
16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM |
|
EM63B165TS-5ISGEtron Technology |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
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MT53E768M32D4DT-053 AUT:EMicron Technology |
LPDDR4 24G 1.5GX16 FBGA QDP |
|
S25FS512SAGNFA010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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MX29GL128EUXFI-11GMacronix |
IC FLSH 128MBIT PARALLEL 64LFBGA |
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W25Q128JWYIM TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP |
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6116LA45TDBRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP |
|
70V659S12BCGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |