类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Obsolete |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | DRAM |
技术: | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
内存大小: | 16Gb (256M x 64) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | 933 MHz |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | - |
电压 - 电源: | 1.14V ~ 1.95V |
工作温度: | -30°C ~ 85°C (TC) |
安装类型: | - |
包/箱: | - |
供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
MT35XU01GBBA2G12-0AAT TRMicron Technology |
IC FLSH 1GBIT XCCELA BUS 24TPBGA |
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MT29F2T08CVCBBG6-6C:BMicron Technology |
IC FLASH 2TB PARALLEL 272LFBGA |
|
40060274Cypress Semiconductor |
IC FLASH NOR |
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MT29F128G08CEAAAC5:AMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PARALLEL 52VLGA |
|
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4Micron Technology |
IC FLASH 36G SLC DDR |
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93AA56C/W15KRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 3MHZ DIE |
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S99-50331 PCypress Semiconductor |
IC MEMORY NOR SMD |
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70V06L20J8Renesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
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MTFC32GAPALNA-AIT ES TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA |
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MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-MMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PARALLEL |
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NANDAAR4N4AZBA5EMicron Technology |
IC FLASH 2G SDR |
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ECF620AAACN-C1-Y3Micron Technology |
LPDDR3 6G DIE 192MX32 |
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MT29F256G08CECABH6-6R:AMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA |