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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 128Gb (16G x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 52-VLGA |
| 供应商设备包: | 52-VLGA (18x14) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4Micron Technology |
IC FLASH 36G SLC DDR |
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93AA56C/W15KRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 3MHZ DIE |
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S99-50331 PCypress Semiconductor |
IC MEMORY NOR SMD |
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70V06L20J8Renesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
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MTFC32GAPALNA-AIT ES TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA |
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MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-MMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PARALLEL |
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NANDAAR4N4AZBA5EMicron Technology |
IC FLASH 2G SDR |
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ECF620AAACN-C1-Y3Micron Technology |
LPDDR3 6G DIE 192MX32 |
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MT29F256G08CECABH6-6R:AMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA |
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7130SA55J8/CRenesas Electronics America |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
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28270509 ACypress Semiconductor |
IC GATE NOR |
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24AA64SC-I/S16KRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ DIE |
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MT47H128M8SH-25E AIT:MMicron Technology |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA |
