类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Bulk |
零件状态: | Obsolete |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | SRAM |
技术: | SRAM - Asynchronous |
内存大小: | 64Kb (8K x 8) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 15ns |
访问时间: | 15 ns |
电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | Die |
供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
7007S35GRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA |
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7133LA45JIRenesas Electronics America |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC |
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S99-50479Cypress Semiconductor |
IC FLASH |
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MT29F32G08CBACAL73A3WC1Micron Technology |
IC FLASH 32GBIT PARALLEL DIE |
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MT29F512G08CKCCBH7-6R:CMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
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SM662GEE-BDSilicon Motion |
FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 3D TLC |
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MT40A1G16WBU-075E:B TRMicron Technology |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA |
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7140SA70JI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
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CG8136AMTCypress Semiconductor |
IC SRAM ASYNC |
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25LC640/WRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 64KBIT SPI 2MHZ DIE |
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MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TRMicron Technology |
IC DRAM 24GBIT 1600MHZ 200VFBGA |
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MT29F512G08CKCBBH7-6C:BMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
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S29PL064J70BFI120ECypress Semiconductor |
IC FLASH NOR 48FBGA |