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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | e•MMC™ |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 32Gb (4G x 8) |
| 内存接口: | MMC |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-LBGA |
| 供应商设备包: | 100-LBGA (14x18) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TRMicron Technology |
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 137TFBGA |
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MT40A512M16TB-062E IT:JMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
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IDT71T016SA15BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA |
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SFEM008GB1EM1TO-I-HG-11P-STDSwissbit |
IC FLSH 64GBIT EMMC 52MHZ 153BGA |
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40060283Cypress Semiconductor |
IC FLASH NOR |
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MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TRMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA |
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IS43R32800D-5BISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA |
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M25P40-VMP6TGB0D TRMicron Technology |
IC FLASH 4MBIT SPI 75MHZ VDFPN |
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M58LR256KB70ZC5ZMicron Technology |
IC FLASH 256MBIT PAR 79VFBGA |
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7006L20JIRenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
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EDFA112A2PD-GD-F-R TRMicron Technology |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 800MHZ |
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MT44K64M18RB-107E IT:A TRMicron Technology |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
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MTFC4GACAECN-1M WTMicron Technology |
IC FLASH 32GBIT MMC WFBGA |
