类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Obsolete |
内存类型: | - |
内存格式: | - |
技术: | - |
内存大小: | - |
内存接口: | - |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | - |
电压 - 电源: | - |
工作温度: | - |
安装类型: | - |
包/箱: | - |
供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
S29CD016J1JDGH017Cypress Semiconductor |
IC FLASH 16MBIT PAR 40MHZ DIE |
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MT41DC11TW-V88AMicron Technology |
IC SDRAM DDR3 1G NANA NA |
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527243-006-00Cypress Semiconductor |
IC FLASH |
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28057297 ACypress Semiconductor |
IC GATE NOR |
|
S99JL032J0150Cypress Semiconductor |
IC FLASH |
|
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TRMicron Technology |
IC FLASH RAM 512MBIT PAR 56VFBGA |
|
JR28F064M29EWLAMicron Technology |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
MT29F2T08CQHBBG2-3R:BMicron Technology |
MLC 2T 256GX8 FBGA 8DP |
|
MT53D1G32D4BD-053 WT ES:DMicron Technology |
LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP |
|
S99DL324DCypress Semiconductor |
IC MEMORY NOR |
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MT53D512M16D1Z11MWC2 ESMicron Technology |
LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
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MT53B1024M64D8WF-062 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 64GBIT 1600MHZ |
|
70261L35PFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |