类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tape & Reel (TR) |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NAND |
内存大小: | 6Tb (768G x 8) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | 267 MHz |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | - |
电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | - |
包/箱: | - |
供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
CG8279AACypress Semiconductor |
IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC |
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S99-50245 PCypress Semiconductor |
IC FLASH MEMORY NOR |
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7025S20PFI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
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MTFC64GAJAECE-5M AIT TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA |
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70V06L15JRenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
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N25Q128A11ESECFF TRMicron Technology |
IC FLSH 128MBIT SPI 108MHZ 8SOP2 |
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MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
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MT29C1G12MAACVAKC-5 ITMicron Technology |
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 107TFBGA |
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MTFC32GJVED-WTMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT MMC 169VFBGA |
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M28W160FST70ZA6EMicron Technology |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 64TBGA |
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MT46H16M32LFCX-5:B TRMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA |
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MT46V32M8P-5B:M TRMicron Technology |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP |
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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TRMicron Technology |
IC FLASH 8G DDR |