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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 3Mb (128K x 24) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 8ns |
| 访问时间: | 8 ns |
| 电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.465V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 119-BBGA |
| 供应商设备包: | 119-PBGA (14x22) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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N25Q512A83G12A0FMicron Technology |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA |
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MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
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P770040CFWC071 XFCypress Semiconductor |
IC MEMORY NOR |
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MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FESMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT DIE |
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S29GL064S90TFV043Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
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7133SA45J8Renesas Electronics America |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC |
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MT47H128M8HQ-3 IT:GMicron Technology |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA |
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PC28F256M29EWLDMicron Technology |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
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M29F800AB70M1Micron Technology |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO |
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MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TRMicron Technology |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA |
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MX63U1GC1GCAXMI01Macronix |
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 533MHZ |
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S99FL164KBIS0Cypress Semiconductor |
IC FLASH NOR |
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MT29F128G08CBCABH6-6M:A TRMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA |
