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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH |
| 内存大小: | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 90 ns |
| 电压 - 电源: | 1.65V ~ 1.95V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 48-VFBGA, CSBGA |
| 供应商设备包: | 48-CBGA (6x8) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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IDT71T016SA20BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA |
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MT29C2G24MAAAAKAKD-5 ITMicron Technology |
IC FLASH RAM 2GBIT PAR 137TFBGA |
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W29N01HVSIAAWinbond Electronics Corporation |
IC 1GBIT NAND 3V X 8BIT 48TSSOP |
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MT46H64M32L2CG-6 IT:AMicron Technology |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 152VFBGA |
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71321SA55TFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP |
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MT29F1T08CUCBBH8-6C:BMicron Technology |
IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA |
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S29GL064SSEI039Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MB FLASH NOR DIE |
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MT29E1T08CPCBBH8-6:B TRMicron Technology |
IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA |
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MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
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MT29F128G08AMEDBJ5-12:DMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PARALLEL 83MHZ |
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EDF8132A3PB-JD-F-R TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA |
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MT53D8DAHR-DCMicron Technology |
IC DRAM 366WFBGA |
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EDW4032BABG-60-F-R TRMicron Technology |
IC RAM 4GBIT PARALLEL 170FBGA |
