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SI2304DDS-T1-BE3

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MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23

SI2304DDS-T1-BE3

SI2304DDS-T1-BE3

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零件编号 :

SI2304DDS-T1-BE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
12970 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 05 - Dec 09 2024
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:6.7 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:235 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-23-3 (TO-236)
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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