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TPH3206LD

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GANFET N-CH 600V 17A PQFN

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DIODE ZENER 68V 1W SUB SMA

TPH3206LD

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零件编号 :

TPH3206LD

制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
244424 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
May 08 - May 12 2025
PDF格式
TPH3206LD PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:17A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (最大值) @ id:2.6V @ 500µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±18V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 480 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):96W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PQFN (8x8)
包/箱:4-PowerDFN
TPH3206LD 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 TPH3206LD 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为TPH3206LD 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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