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TPN2010FNH,L1Q

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MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

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零件编号 :

TPN2010FNH,L1Q

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
12244 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 24 - Nov 28 2024
PDF格式
TPN2010FNH,L1Q PDF
类型 描述
系列:U-MOSVIII-H
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):250 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5.6A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:198mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 200µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:700mW (Ta), 39W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-TSON Advance (3.3x3.3)
包/箱:8-PowerVDFN
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