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ALD212914PAL

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零件编号 :: ALD212914PAL

制造商: Advanced Linear Devices, Inc.

描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 380338 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

类型	描述
系列:	EPAD®, Zero Threshold™
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	10.6V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	80mA
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (最大值) @ id:	20mV @ 10µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
功率 - 最大值:	500mW
工作温度:	-
安装类型:	Through Hole
包/箱:	8-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备包:	8-PDIP

ALD212914PAL 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 ALD212914PAL 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为ALD212914PAL 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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