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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Quad Port, Synchronous |
| 内存大小: | 288Mb (16M x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 450 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 165-LBGA |
| 供应商设备包: | 165-FPBGA (15x17) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IS43R16800E-6TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
|
24AA08T-I/MCRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8DFN |
|
AS6C62256-55STINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28STSOP |
|
IS49RL18320-093BLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
|
MTFC8GAMALBH-AATMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA |
|
S25FL256LDPMFB003Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
71256L35DBRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PAR 28CERDIP |
|
93LC46B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8DIP |
|
CAT24M01YI-GT3JNSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
|
25C320-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
70V7319S200BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
CY7C199CN-15ZXCRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
MX25L51245GML-10GMacronix |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP |
