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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | DRAM |
| 内存大小: | 576Mb (32M x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 1.066 GHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 10 ns |
| 电压 - 电源: | 1.28V ~ 1.42V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 168-LBGA |
| 供应商设备包: | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MTFC8GAMALBH-AATMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA |
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S25FL256LDPMFB003Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
71256L35DBRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PAR 28CERDIP |
|
93LC46B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8DIP |
|
CAT24M01YI-GT3JNSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
|
25C320-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
70V7319S200BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
CY7C199CN-15ZXCRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
MX25L51245GML-10GMacronix |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP |
|
CY7C1318CV18-250BZCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
MX25V8006EM1I-13GMacronix |
IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SOP |
|
SST25PF020B-80-4C-SAE-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC |
|
CY62148G30-45ZSXITCypress Semiconductor |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II |
