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EPC2012

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零件编号 :: EPC2012

制造商: EPC

描述: GANFET N-CH 200V 3A DIE

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 066106 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 17 - Feb 21 2025

PDF格式: EPC2012 PDF

类型	描述
系列:	eGaN®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Discontinued at Digi-Key
场效应管类型:	N-Channel
技术:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):	200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	5V
rds on (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	1.8 nC @ 5 V
vgs (最大值):	+6V, -5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	145 pF @ 100 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	-
工作温度:	-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	Die
包/箱:	Die

EPC2012 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 EPC2012 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为EPC2012 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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