English
简体中文
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | MX29GL |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NOR |
| 内存大小: | 128Mb (16M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 90ns |
| 访问时间: | 90 ns |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 56-TFBGA |
| 供应商设备包: | 56-TFBGA (7x9) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS4C32M16SB-7BINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
|
|
S25FS512SAGNFA013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
|
AS4C512M16D4-75BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
|
N24S64C4DYT3GSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP |
|
|
CG7327BTRochester Electronics |
SPECIAL |
|
|
CY7C027V-20ACKJRochester Electronics |
DUAL PORT RAM |
|
|
FM25V40-DGCRochester Electronics |
NVRAM FRAM SERIAL |
|
|
M10082040108X0PSAYRenesas Electronics America |
IC RAM 8MBIT 108MHZ 8SOIC |
|
|
CAT24C04ZGIRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
|
|
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TRMicron Technology |
IC DRAM 24GBIT 2133MHZ |
|
|
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TRMicron Technology |
IC DRAM LPDDR3 16G FBGA |
|
|
MT40A1G8SA-075:EMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
|
|
MX66L51255FXCI-10GMacronix |
IC FLASH 512MBIT |
