TPH3206LSGB

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零件编号 :: TPH3206LSGB

制造商: Transphorm

描述: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 348334 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 22 - Nov 26 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tray
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	16A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	8V
rds on (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.6V @ 500µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	6.2 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±18V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	720 pF @ 480 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	81W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	3-PQFN (8x8)
包/箱:	3-PowerDFN

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