类型 | 描述 |
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系列: | SiT3372, Elite Platform™ |
包裹: | Strip |
零件状态: | Active |
基谐振器: | MEMS |
类型: | VCXO |
频率: | 50 MHz |
功能: | - |
输出: | HCSL |
电压 - 电源: | 2.5V |
频率稳定性: | ±50ppm |
绝对拉力范围(四月): | ±745ppm |
工作温度: | -40°C ~ 85°C |
扩频带宽: | - |
电流 - 供应(最大): | 97mA |
收视率: | - |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 6-SMD, No Lead |
尺寸/尺寸: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
坐姿高度(最大): | 0.031" (0.80mm) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
SIT8208AC-22-18E-8.192000YSiTime |
MEMS OSC XO 8.1920MHZ LVCM LVTTL |
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SG-8018CG 10.6800M-TJHPA0Epson |
XTAL OSC XO 10.6800MHZ CMOS SMD |
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SiT3372AI-4B3-33NY61.440000TSiTime |
XTAL OSC VCXO 61.4400MHZ HCSL |
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SIT1602BC-83-25E-72.000000XSiTime |
MEMS OSC XO 72.0000MHZ H/LV-CMOS |
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S750025T-24.576-X-MAker Technology USA |
XTAL OSC XO 24.5760MHZ HCMOS SMD |
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SIT1602BC-72-33N-20.000000DSiTime |
MEMS OSC XO 20.0000MHZ H/LV-CMOS |
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SIT8209AI-G2-25E-133.333330YSiTime |
MEMS OSC XO 133.33333MHZ LVCMOS |
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SIT1602BI-12-25E-12.000000GSiTime |
MEMS OSC XO 12.0000MHZ H/LV-CMOS |
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SIT8208AC-23-25E-33.333330XSiTime |
MEMS OSC XO 33.33333MHZ LVCMOS |
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SiT3372AI-1B9-28NE204.800000YSiTime |
XTAL OSC VCXO 204.8000MHZ LVPECL |
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SIT1602BI-13-28E-50.000000ESiTime |
MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS |
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SG-8018CE 24.0004M-TJHPA0Epson |
XTAL OSC XO 24.0004MHZ CMOS SMD |
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SIT1602BC-13-33E-8.192000DSiTime |
MEMS OSC XO 8.1920MHZ H/LV-CMOS |