类型 | 描述 |
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系列: | SiT9365, Elite Platform™ |
包裹: | Strip |
零件状态: | Active |
基谐振器: | MEMS |
类型: | XO (Standard) |
频率: | 161.13281 MHz |
功能: | - |
输出: | HCSL |
电压 - 电源: | 2.8V |
频率稳定性: | ±20ppm |
绝对拉力范围(四月): | - |
工作温度: | -20°C ~ 70°C |
扩频带宽: | - |
电流 - 供应(最大): | - |
收视率: | - |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 6-SMD, No Lead |
尺寸/尺寸: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
坐姿高度(最大): | 0.031" (0.80mm) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
SIT8208AI-22-33E-7.372800TSiTime |
MEMS OSC XO 7.3728MHZ LVCM LVTTL |
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SIT8208AI-82-25E-54.000000YSiTime |
MEMS OSC XO 54.0000MHZ LVCMOS LV |
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SIT1602BC-33-28S-24.576000YSiTime |
MEMS OSC XO 24.5760MHZ H/LV-CMOS |
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SIT8209AI-21-18S-98.304000XSiTime |
MEMS OSC XO 98.3040MHZ LVCMOS LV |
|
SIT8208AI-33-28S-12.800000YSiTime |
MEMS OSC XO 12.8000MHZ LVCMOS LV |
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SiT3373AC-2B9-28NE307.695484YSiTime |
XTAL OSC VCXO 307.695484MHZ LVDS |
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DSC1001BE1-012.0000Roving Networks / Microchip Technology |
MEMS OSC XO 12.0000MHZ CMOS SMD |
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SIT8208AI-G2-28E-75.000000YSiTime |
MEMS OSC XO 75.0000MHZ LVCMOS LV |
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AMPMAGD-2.097152TAbracon |
MEMS OSC XO 2.0972MHZ CMOS SMD |
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AMPMGEB-6.0000T3Abracon |
MEMS OSC XO 6.0000MHZ CMOS SMD |
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SIT8209AI-G1-18E-148.351648TSiTime |
MEMS OSC XO 148.351648MHZ LVCMOS |
|
SIT5000AC-3E-33E0-19.440000XSiTime |
XTAL OSC TCXO 19.4400MHZ LVCMOS |
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SiT3372AI-1E2-33NC98.304000YSiTime |
XTAL OSC VCXO 98.3040MHZ LVPECL |