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BYM11-1000HE3_A/I

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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

BYM11-1000HE3_A/I

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零件编号 :

BYM11-1000HE3_A/I

制造商
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
描述
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
目录
二极管 - 整流器 - 单
可用性
763376 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Feb 21 - Feb 25 2025
PDF格式
BYM11-1000HE3_A/I PDF
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
二极管型:Standard
电压 - 直流反向 (vr) (max):1000 V
电流 - 平均整流 (io):1A
电压 - 正向 (vf) (max) @ if:1.3 V @ 1 A
速度:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr):500 ns
电流 - 反向泄漏@ vr:5 µA @ 1000 V
电容@vr, f:15pF @ 4V, 1MHz
安装类型:Surface Mount
包/箱:DO-213AB, MELF (Glass)
供应商设备包:DO-213AB
工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
BYM11-1000HE3_A/I 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 BYM11-1000HE3_A/I 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为BYM11-1000HE3_A/I 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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