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NSVMUN5111DW1T3G

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零件编号 :: NSVMUN5111DW1T3G

制造商: Rochester Electronics

描述: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置

可用性: 15745 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: NSVMUN5111DW1T3G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (r1):	10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	10kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	35 @ 5mA, 10V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率转换:	-
功率 - 最大值:	250mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包:	SC-88/SC70-6/SOT-363

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