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NSM11156DW6T1G

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零件编号 :: NSM11156DW6T1G

制造商: Rochester Electronics

描述: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置

可用性: 330000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

PDF格式: NSM11156DW6T1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
晶体管型:	1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50V, 65V
电阻器 - 基极 (r1):	10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	10kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率转换:	-
功率 - 最大值:	230mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包:	SC-88/SC70-6/SOT-363

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