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NSBA123EDXV6T1G

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零件编号 :: NSBA123EDXV6T1G

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置

可用性: 108000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 03 - Nov 07 2025

PDF格式: NSBA123EDXV6T1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Obsolete
晶体管型:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (r1):	2.2kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	2.2kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	8 @ 5mA, 10V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率转换:	-
功率 - 最大值:	500mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SOT-563, SOT-666
供应商设备包:	SOT-563

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