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QS5Y2FSTR

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零件编号 :: QS5Y2FSTR

制造商: ROHM Semiconductor

描述: PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列

可用性: 12851 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 26 - Nov 30 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN, PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):	3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大值）:	1µA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	180 @ 50mA, 3V
功率 - 最大值:	500mW
频率转换:	320MHz, 300MHz
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
供应商设备包:	TSMT5

QS5Y2FSTR 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 QS5Y2FSTR 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为QS5Y2FSTR 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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