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HN1C03FU-B,LF

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NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

HN1C03FU-B,LF

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零件编号 :

HN1C03FU-B,LF

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列
可用性
12960 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 16 - Nov 20 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
晶体管型:2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):300mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:20V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:100mV @ 3mA, 30A
电流 - 集电极截止（最大值）:100nA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:350 @ 4mA, 2V
功率 - 最大值:200mW
频率转换:30MHz
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包:US6
HN1C03FU-B,LF 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 HN1C03FU-B,LF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为HN1C03FU-B,LF 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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