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MT3S111TU,LF

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零件编号 :: MT3S111TU,LF

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 射频

可用性: 13372 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 27 - Dec 01 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	6V
频率转换:	10GHz
噪声系数 (db typ @ f):	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
获得:	12.5dB
功率 - 最大值:	800mW
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
电流 - 集电极 (ic) (max):	100mA
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	3-SMD, Flat Lead
供应商设备包:	UFM

MT3S111TU,LF 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 MT3S111TU,LF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为MT3S111TU,LF 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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