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2SA1669-TB-E

2SA1669-TB-E

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

2SA1669-TB-E

2SA1669-TB-E

图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

2SA1669-TB-E

制造商
Rochester Electronics
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 射频
可用性
935293 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 25 - Oct 29 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:PNP
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:15V
频率转换:3GHz
噪声系数 (db typ @ f):2dB @ 900MHz
获得:5dB
功率 - 最大值:250mW
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:15 @ 5mA, 10V
电流 - 集电极 (ic) (max):50mA
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包:3-CP
2SA1669-TB-E 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 2SA1669-TB-E 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为2SA1669-TB-E 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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