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RN1110MFV,L3F

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零件编号 :: RN1110MFV,L3F

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 单，预偏置

可用性: 061406 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: RN1110MFV,L3F PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):	100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (r1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	-
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	300mV @ 500µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA (ICBO)
频率转换:	-
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SOT-723
供应商设备包:	VESM

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