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RN1101MFV,L3F

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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

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RN1101MFV,L3F

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零件编号 :

RN1101MFV,L3F

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 单,预偏置
可用性
281828 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
RN1101MFV,L3F PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Not For New Designs
晶体管型:NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):50 V
电阻器 - 基极 (r1):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):4.7 kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 10mA, 5V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率转换:-
功率 - 最大值:150 mW
安装类型:Surface Mount
包/箱:SOT-723
供应商设备包:VESM
RN1101MFV,L3F 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 RN1101MFV,L3F 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为RN1101MFV,L3F 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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