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BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

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IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

BCR198E6433HTMA1

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零件编号 :

BCR198E6433HTMA1

制造商
Rochester Electronics
描述
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 单,预偏置
可用性
30000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Apr 14 - Apr 18 2025
PDF格式
BCR198E6433HTMA1 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Last Time Buy
晶体管型:PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):50 V
电阻器 - 基极 (r1):47 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):47 kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 5mA, 5V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA (ICBO)
频率转换:190 MHz
功率 - 最大值:200 mW
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包:SOT-23-3
BCR198E6433HTMA1 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 BCR198E6433HTMA1 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为BCR198E6433HTMA1 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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