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NSVMUN5131T1G

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零件编号 :: NSVMUN5131T1G

制造商: Rochester Electronics

描述: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 单，预偏置

可用性: 111000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 26 - Nov 30 2024

PDF格式: NSVMUN5131T1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):	100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (r1):	2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	2.2 kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	8 @ 5mA, 10V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率转换:	-
功率 - 最大值:	202 mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SC-70, SOT-323
供应商设备包:	SC-70-3 (SOT323)

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