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DTD113ZUT106

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零件编号 :: DTD113ZUT106

制造商: ROHM Semiconductor

描述: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 单，预偏置

可用性: 14144 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 28 - Dec 02 2024

PDF格式: DTD113ZUT106 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):	500 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (r1):	1 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	10 kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	82 @ 50mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率转换:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SC-70, SOT-323
供应商设备包:	UMT3

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