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NJVMJD122T4G

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零件编号 :: NJVMJD122T4G

制造商: Rochester Electronics

描述: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 单

可用性: 12315 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 10 - Nov 14 2025

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN - Darlington
电流 - 集电极 (ic) (max):	8 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	100 V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	4V @ 80mA, 8A
电流 - 集电极截止（最大值）:	10µA
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 4A, 4V
功率 - 最大值:	1.75 W
频率转换:	4MHz
工作温度:	-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:	DPAK

NJVMJD122T4G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NJVMJD122T4G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NJVMJD122T4G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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