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2SA2016-TD-E

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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 7A, 50

2SA2016-TD-E

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

2SA2016-TD-E

制造商
Rochester Electronics
描述
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 7A, 50
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
可用性
14450 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 24 - Nov 28 2024
PDF格式
2SA2016-TD-E PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):7 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:50 V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:400mV @ 40mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）:100nA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 500mA, 2V
功率 - 最大值:3.5 W
频率转换:330MHz
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-243AA
供应商设备包:PCP
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