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MJD3055TF

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零件编号 :: MJD3055TF

制造商: Rochester Electronics

描述: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 单

可用性: 43600 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Apr 26 - Apr 30 2025

PDF格式: MJD3055TF PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN
电流 - 集电极 (ic) (max):	10 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	60 V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	8V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止（最大值）:	50µA
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 4A, 4V
功率 - 最大值:	1.75 W
频率转换:	2MHz
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:	D-Pak

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