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CSD85301Q2

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零件编号 :: CSD85301Q2

制造商: Texas Instruments

描述: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 18272 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 22 - Nov 26 2024

类型	描述
系列:	NexFET™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate, 5V Drive
漏源电压 (vdss):	20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	5A
rds on (max) @ id, vgs:	27mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	5.4nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	469pF @ 10V
功率 - 最大值:	2.3W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	6-WDFN Exposed Pad
供应商设备包:	6-WSON (2x2)

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