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T6 40V LL S08FL DS

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NTMFD5C446NLT1G

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零件编号 :

NTMFD5C446NLT1G

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
T6 40V LL S08FL DS
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
13000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Apr 07 - Apr 11 2025
PDF格式
NTMFD5C446NLT1G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):40V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:25A (Ta), 145A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:2.65mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 90µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:54nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3170pF @ 25V
功率 - 最大值:3.5W (Ta), 125W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-PowerTDFN
供应商设备包:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
NTMFD5C446NLT1G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NTMFD5C446NLT1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NTMFD5C446NLT1G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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