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SMALL SIGNAL FET

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MCH6605-TL-E

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零件编号 :

MCH6605-TL-E

制造商
Rochester Electronics
描述
SMALL SIGNAL FET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
15000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 25 - Nov 29 2024
PDF格式
MCH6605-TL-E PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate, 4V Drive
漏源电压 (vdss):50V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:140mA
rds on (max) @ id, vgs:22Ohm @ 40mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:1.32nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:6.2pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:6-SMD, Flat Leads
供应商设备包:6-MCPH
MCH6605-TL-E 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 MCH6605-TL-E 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为MCH6605-TL-E 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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